2010年考研大连理工大学半导体物理备考要点

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　　一：简单回答下面问题(共60分)
        　　1、 晶体的空间点阵有多少种?属于立方晶系的有多少种?
        　　2、 晶体中的缺陷有哪几种类型?点缺陷有几种?
        　　3、 晶体中电子的运动有哪些特点?
        　　4、 什么是杂质的补偿效应?
        　　5、 什么情况下费米能级接近本证费米?
        　　6、 某种半导体由于表面态使其表面层的能带向下弯曲形成了反型层，这是什么类型的半导体?
        　　7、 某半导体在一定温度下，它的霍尔系数发生了正负变化，请问这是什么类型的半导体?在什么情况下发生这样的变化。
        　　8、 什么情况下，p型半导体的热费米能级可以近似于本征费米能级。
        　　9、 什么是爱因斯坦关系式，它有什么意义。
        　　10、什么是扩散长度，什么是牵引长度。
        　　11、半导体的接触电势差是什么?由什么决定?
        　　12、什么是表面场效应。
        　　二、(15分)由相同原子组成的二维平面晶体图下图所示，结构类似于蜂巢的六角形原子组成，请回答
        　　1、画出布拉伐格子和到倒格子，并且在任选的直角坐标系写出原基矢和倒基矢表达式。
        　　2、求出原胞个倒原胞的面积。
         
        　　三、(20分)已知一维晶体的电子能带可写成：
         
        　　 式中，a为晶格常数。试求：
        　　(1) 能带的宽度;
        　　(2) 能带底部和顶部电子的有效质量。
        　　四、(10分)
        　　(1)试画出金属-n型半导体接触时，Wm>Ws，Ws>Wm两种情况下的能带图。
        　　(2)试画出理想NnP型双异质结的热平衡能带图。
        　　五、(15分)
        　　一个很长的n型半导体样品，其中心附近长度为2a的范围内被光照射。假定光均匀的穿透样品，电子―空穴对的产生率为g，试求出小注入情况下样品中稳定少子的分布。
         
        　　六、(15分)
        　　锗pn结中的p和n区的室温电阻率均为 时。它的值又是多少?
        　　七、(15分)
        　　试用理想pn结理论推导出pn结的伏安特性关系式并由其说明pn结的整流特性