上海交通大学2011年半导体基础真题

海天考研

　　2011年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研真题根据网友提供的资料整理而来，难免有所疏漏，仅供参考。
　　一、1.半导体能带形成原因2.绝缘体 导体 半导体 能带图3.算一个半导体的吸收限
　　二、算扩散电流
　　三、1.基区宽度调变效应2.根据基区宽度调变效应的计算
　　四、算基区长度与扩散长度相等时的放大系数
　　五、算mos管的跨导
　　六、短沟道效应及短沟道效应引起的参数变化
　　七、算有效阈值电压与阈值电压的差值