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上海交通大学2011年半导体基础真题

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论坛元老

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发表于 2016-7-4 11:45:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
  2011年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研真题根据网友提供的资料整理而来,难免有所疏漏,仅供参考。
  一、1.半导体能带形成原因2.绝缘体 导体 半导体 能带图3.算一个半导体的吸收限
  二、算扩散电流
  三、1.基区宽度调变效应2.根据基区宽度调变效应的计算
  四、算基区长度与扩散长度相等时的放大系数
  五、算mos管的跨导
  六、短沟道效应及短沟道效应引起的参数变化
  七、算有效阈值电压与阈值电压的差值
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