海天考研 发表于 2016-7-4 11:45:54

上海交大2011年半导体物理与器件基础考研真题

　　2011年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研真题根据网友提供的资料整理而来，难免有所疏漏，仅供参考。
　　一、
　　1.半导体能带形成原因
　　2.绝缘体 导体 半导体 能带图
　　3.算一个半导体的吸收限
　　二、算扩散电流
　　三、
　　1.基区宽度调变效应
　　2.根据基区宽度调变效应的计算
　　四、算基区长度与扩散长度相等时的放大系数
　　五、算mos管的跨导
　　六、短沟道效应及短沟道效应引起的参数变化
　　七、算有效阈值电压与阈值电压的差值
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