2016北理工电子科学与技术基础考研真题
2016考研初试12月26日至28日进行，新东方网考研频道时刻关注2016考研初试情况，并第一时间为考生提供考研真题答案及答案解析内容，同时新东方考研名师将为考生提供视频解析。敬请关注新东方网考研频道为您带来的精彩内容。||
2016考研基本落下帷幕，考后对答案估分是考生目前的要紧事，尤其今年考研人数报考增多，专硕竞争压力又加大了，大家要早做准备。新东方网考研频道考后跟踪发布考研相关真题及解析，帮助大家把握考情动态，更准确的估分。下面是2016北理工电子科学与技术基础考研真题。
半导体：
简答题和名词解释：单电子近似，本征激发，肖特基接触，功函数，外层电子与内层电子共有化运动的不同点，隧道效应
大题：MIS的电容电压特性，电子的几率，求电导率 电子和空穴浓度，
设计题：证明非平衡少子的存在。
模电：
简答题：二极管的种类，比较器的分类以及特点，作用!三极管放大电路的组态
大题：放大电路的题目，求静态电流，输入电阻和输出电阻，画出交流等效电路。
比较器的题目，画出传输特性曲线，求上下限门电压。
页:
[1]